三星誓奪回半導體市佔冠軍 2025推LLM用晶片

三星電子社長慶桂顯今天在股東會上表示，三星的半導體部門一定會在2到3年內奪回國際市佔第一寶座，並證實正在開發大型語言模型（LLM）用晶片，將在明年亮相。

韓聯社報導，主掌半導體事業的慶桂顯今天出席股東大會說明未來事業戰略時作以上表示，並透露正在開發LLM用人工智慧（AI）晶片MACH-1，預計明年初公開。

慶桂顯說明，目前AI系統受記憶體限制會出現性能降低及耗電問題，這個可將記憶體處理量減少至1/8、能源效率提高8倍的新型晶片只是三星電子創新的第一步，三星已為此成立泛用人工智慧運算實驗室，投入從AI的根本結構上創新。

受惠於人工智慧熱潮，全球半導體市場規模今年預估大幅成長至6300億美元，但三星電子近期表現相較其他競爭業者慘澹許多。面對股東的質疑，慶桂顯承認確實未對先前市場需求降低的狀況做好準備，「如果足夠有競爭力，不管市場如何變化，事業表現都應該更好」。

晶片大廠英特爾（Intel）去年從三星電子手中奪回睽違3年的國際市佔冠軍寶座。據市調機構Gartner統計，三星電子去年的半導體部門銷售額較前（2022）年縮減37.5%，降至399億美元，與英特爾（487億美元）相差近百億美元。

慶桂顯指出，半導體部門的表現在今年1月開始看來已恢復盈餘，但若依賴既有業務，長期來看無法在半導體市場維持第一名的地位；未來會透過強化研發投資鞏固技術基礎，並致力改善投資效率與企業結構。

除了48兆韓元的設備投資，三星電子規劃在2030年前向器興研發園區投資20兆韓元，持續擴大研究人力及研發測試晶圓規模，目標將旗下半導體研究所在數量及品質上的規模擴大2倍。

在記憶體市場，三星電子規劃以12奈米級32Gb（千兆位元）DDR5 DRAM開發128GB（千兆位元）大容量模組領先市場；並以12層堆疊高頻寬記憶體（HBM）為基礎，競爭HBM3和HBM3E市場的主導地位。

而在晶圓代工事業部分，三星電子開始以採用環繞閘極（GAA）結構的3奈米製程穩定量產行動AP製品，為2025年GAA 2奈米製程量產做好準備。

慶桂顯指出，想在晶圓代工市場具有競爭力，「必須擁有充分的優秀技術、高良率及提供客製化的能力」，強調會在這三點上做好準備，以追上競爭對手台積電。

據研調機構TrendForce分析，台積電與韓國半導體大廠三星電子的晶圓代工市佔率差距已從去年第3季的45.5個百分點擴大至第4季的49.9個百分點。日前有韓媒指出，台積電在最熱門的AI晶片生產市佔率可能接近100%。

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