集邦科技今(9)日出具最新報告指出,記憶體原廠在面臨輝達(NVIDIA)以及其他雲端服務業者(CSP)自研晶片的加單下,加大矽鑽孔(TSV)產線來擴增高頻寬記憶體(HBM)產能。從目前各原廠規畫看,預估2024年HBM供給位元量將年增105%,不過,考量TSV擴產加上機台交期與測試所需的時間合計可能長達9~12個月,集邦預估多數HBM產能要等到明年第2季才可望陸續開出。
集邦分析,由於2023~2024年屬AI建置爆發期,大量需求挹注在AI 訓練(Training)晶片,並推升HBM使用量,後續建置轉為Inference以後,對AI Training晶片以及HBM需求的年成長率則將略為收斂。因此,原廠此刻在HBM擴產的評估正面臨抉擇,必須在擴大市佔率以滿足客戶需求,以及過度擴產恐導致供過於求之間取得平衡。
值得注意的是,目前買方在預期HBM可能缺貨的情況下,其需求數量恐隱含超額下單的風險。
觀察HBM供需變化,2022年供給無虞,2023年受到AI需求突爆式增長導致客戶的預先加單,即便原廠擴大產能但仍無法完全滿足客戶需求。展望2024年,集邦認為,基於各原廠積極擴產的策略下,HBM供需比(Sufficiency Ratio)有望獲改善,預估將從2023年的-2.4%,轉為0.6%。
以HBM不同世代需求比重而言,TrendForce表示,2023年主流需求自HBM2e轉往HBM3,需求比重分別預估約是50%及39%。隨著使用HBM3的加速晶片陸續放量,2024年市場需求將大幅轉往HBM3,而2024年將直接超越HBM2e,比重預估達60%,且受惠於其更高的平均銷售單價(ASP),將帶動明年HBM營收顯著成長。
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標題:原廠積極擴產 集邦估2024年HBM位元供給明年翻倍成長
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