華邦電結合AI晶片設計商、後段封測廠 搶攻AI商機

華邦電（2344）今天公布第2季轉盈，單季稅後盈餘3.54億元，每股純益0.09元，但上半年每股仍虧損0.16元。總經理陳沛銘主持法說會時表示，主因華邦電產能因客戶需求回升而拉升，原減產攤提損失減少。他強調，雖然目前各大廠庫存水位仍高，但華邦電感受到產品如網通、電電腦、手機及資料中心及電視端等客戶拉貨都有逐步升高趨勢，預估下半年營運將逐步微幅成長。

陳沛銘表示，受到總體經濟在美國升息及中國疫情需求仍疲弱下，近期訂單能見度仍不高，但華邦電感受到客戶訂單並不如想像中悲觀，華邦電的快閃記憶體，尤其是SLC NAND晶片，第2季出貨寫下單季新高，未能反映推升收益，主要是市場面臨頗大的價格競爭壓力。

華邦電公布第季營收結構，快閃記憶體營收佔比達63%，DRAM佔比縮減不到四成。

不過陳沛銘今日宣布最新的D20快完成試產前準備，將導入在高雄廠試產，這項製程相當於美光的1x，過去試作後的良率非常高，公司未來導入高雄量產，並將高雄廠的月產能，由目前的1萬片，到今年底提升到1.4萬片，預料在製程向D20推進後，將為華邦電明年帶來很好的成本效益。

陳沛銘並強調，現有台中廠DRAM產能，主要生產D25產品，將配合鼓勵客戶推進至D20設計，逐步改由高雄廠生產，騰出的產能將供擴充快閃記憶體，例如導入45奈米的編碼型快閃記憶體（NOR Flash），華邦電將是繼美光之後第二家導入45奈米NOR 型晶片量產的記憶體廠。

華邦電經歷高雄廠的高資本支出後，今年資本支出將降至130億元，其中95億元用於高雄廠設備支出、19億元用於台中廠設備更新，14億元用於研發。

陳沛銘也解釋了華邦電推出的高頻寬記憶體CUBE與現有三大廠HBM的架構與應用說明，他強調，華邦電的CUBE將視為KGD2.0的新創平台，不同HBM是整合CPU和GPU等高速運算AI晶片，類似成為各AI晶片附加的矽中介質(Interposer）卻具有高輸出入IO及一定算力搭配記憶體，華邦電將在CUBE做完矽鑽孔（TSV）後，與晶片商專為AI應用開發的晶片再由後段封裝廠封成小晶片（Chiplet），因此必須是IC設計、華邦電和後段封測廠協力完成。這類高頻寬記憶體主要迎合包括AR／VR及智慧穿戴等強調邊緣運算的產品領域。

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