三星向外界公佈 GAA MBCFET 技術最新進展

集微網消息，三星 Foundry 在5月9日的以色列半導體展會 ChipEx2023 上公佈了旗下3nm GAA MBCFET技術的最新進展以及對SRAM設計的影響。

三星表示，相較 FinFET，MBCFET 提供了更好的設計靈活性：在傳統的FinFET結搆中，柵極所包裹的鰭片高度是無法調整的；而 MBCFET則將鰭片橫向堆曡在一起，所以奈米片的高度可以自行調整，能提供相對FinFET更多的通道寬度選擇。

MBCFET 的這一特性為 SRAM 單元設計提供了更大的靈活性，可以在PMOS和NMOS之間形成最佳平衡。

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標籤：半導體  以色列