三星將於6月公佈SF3和SF4X工藝 有望與台積電競爭

集微網消息，據外媒sammobile報導，三星將於6月11~16日的VLSI Symposium 2023活動上，公佈其最新的3nm、4nm芯片製造工藝。這一芯片活動將在日本京都擧行。

具體看，三星將公佈的是第二代3nm SF3工藝、第四代4nm SF4X工藝，這兩項技術對該公司十分重要，有助於其吸引更多客戶，與台積電競爭。此前三星的4nm工藝效果不佳，表現遜於台積電同代工藝，其製造的Exynos 2200和驍龍8 Gen 1芯片發熱較大，受到了市場許多批評。

官方表示，三星最新的SF3工藝是此前SF3E工藝的改進版本，將採用3nm GAP技術。這種工藝使用了GAA柵極全環繞晶體管（英特爾也有類似技術），三星稱之為MBCFTE場效應管。

與SF4（4nm EUV LPP）工藝相比，消息稱SF3工藝芯片在相同功率下，運行速度提高了22%，或者說在相同頻率以及晶體管數量的條件下，效率提高了34%，此外芯片面積也縮小了21%。GAA工藝的優勢便是改變納米片通道的寬度，該技術可以明顯提高晶體管密度。

此前有爆料者表示，三星未來的3nm SF3工藝將用於製造Exynos 2500以及高通驍龍8 Gen 4 for Galaxy芯片。

而三星的第四代4nm SF4X工藝，有望用於製造服務器CPU、GPU等，與第二代4nm SF4工藝相比，性能將提升10%，能效有望提升23%。這一工藝將與台積電的N4P（第二代4nm）、N4X（第三代4nm）工藝節點進行競爭。

據外媒AnandTech消息，三星的SF4X工藝將是該公司近年來第一個針對高性能服務器HPC芯片的工藝節點，具有重要意義，這也代表著三星或許已經有了一些意向客戶。

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