三星傳下月發表最新3、4奈米製程技術 拚追趕台積電

科技網站Wccf tech指出，為了追趕台積電的全球晶圓代工龍頭地位，三星電子將在6月的超大型積體技術及電路國際會議（VLSI Symposium）發表最新的3奈米製程（SF3）與4奈米製程（SF4X）技術，彰顯其優勢。

三星電子的SF3製程將運用3奈米GAP技術，仰賴環繞閘極電晶體（GAA）架構，但三星卻不會用直接比較和第一代3奈米製程的差異，只聲稱SF3節點效能比第二代4奈米製程SF4快22%，暗示SF3和第一代3奈米製程的差異可能不大。

SF4X是三星電子的第四代4奈米製程技術，聲稱效能比SF4製程提高10%，節能效益改善23%。SF4X製程將和台積電的N4P節點相競爭，並希望槓上台積電的N4X節點；據報導N4P節點技術已被用於量產高通的Snapdragon 8 Gen 3和聯發科的天璣9300等晶片。

三星電子預料不會透露已對這些技術展現興趣的潛在客戶迷單，但也傳言指出，高通可能探索為Snapdragon晶片組取得雙供應來源。超微據傳正和三星電子結盟發展4奈米晶片，但傳言未提及確切節點。

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