聯電：樂觀半導體長期需求

聯電（2303）將在5月31日舉行股東常會，董事長洪嘉聰在致股東報告書中指出，今年面臨景氣起伏調整與地緣政治挑戰，聯電會持續透過創新、差異化的特殊製程技術、卓越的晶圓製造以及多元區域化的產能配置，達成與客戶緊密的策略夥伴關係，在5G、AIoT、電動車等大趨勢下，樂觀看待半導體長期需求成長。

長期目標來看，洪嘉聰表示，製程研發和穩定獲利一直是聯電營運重心，將聚焦具有技術差異化及領先的特殊製程，包括低功耗邏輯、雙極-互補金屬氧化半導體-雙重擴散金屬氧化半導體（BCD）、嵌入式高壓（eHV）、嵌入式非揮發性記憶體（eNVM）、射頻絕緣半導體（RFSOI）等。

在14奈米製程技術方面，目前客戶以14FFC平台設計的產品良率已突破90%，效能更滿足客戶需求，也已成功的導入5G及網通等應用，並且順利進入量產。

22奈米製程部分，與28奈米高效能精簡型製程技術平台（28HPC）具有相同光罩層數及相容的設計準則，但22奈米製程技術效能提升10％、功耗降低20％、晶粒尺寸減少10％，因此，22奈米製程技術的成本競爭力大大提升，進而提供客戶更多選擇。

關於顯示器驅動器與功率管理製程技術，22奈米高壓25V製程技術的LTPO OLED面板驅動晶片產品已完成驗證程序，今年進入試產；28奈米超低功耗嵌入高壓主動矩陣有機發光二極體（AMOLED）顯示屏驅動晶片製程技術的開發，也已完成元件模型及設計規範，同樣在今年進入試產。

聯電強調，集團在化合物半導體領域，主要布局通訊元件與第三類半導體功率元件等利基市場，砷化鎵元件部分，針對既有HBT功率放大器持續加入SAWWfilter整合方案，提供手機射頻前端模組與WiFi6／7通訊模組整合製造方案。

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