長鑫成功量產DDR5 但良率不到20％？外媒分析原因

中國大陸動態隨機存取記憶體（DRAM）巨頭長鑫存儲技術（CXMT）據傳已成功量產DDR5記憶體晶片，但因在晶片製造設備進口方面受限，良率估計僅10%-20%。產業人士表示，陸製晶片與產業龍頭的差距，一時恐難縮小。

BusinessKorea報導，長鑫儲存日前傳出成功量產DDR5晶片，縮小與三星電子等全球DRAM大廠的差距至三年以下。但半導體產業普遍認為，中國大陸離全面的「半導體起飛」階段，尚有一段距離。

理由在於，受到美國法規的限制，陸廠無法進口半導體製程不可或缺的先進極紫外光（EUV）曝光設備，此外，川普新政府也預期對中國大陸產品加徵高關稅、嚴加管控設備出口，陸製DRAM的成長勢必受挫。

外界也猜測，在拜登政府時期未被列入管制的長鑫儲存，可能在川普上任後被納入制裁名單。

荷蘭半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）近期對外展示將最先進高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）用於DRAM製程的可能性，宣稱該方法可節省多達30%的成本。而由於長鑫存儲等陸廠自2019年起便無法進口EUV設備，與其他地區業者的成本差距將持續擴大。

半導體產業觀察人士表示，正因如此，長鑫存儲的DDR5良率可能只會有10%-20%。ASML執行長富凱說，「中國大陸在先進領域落後約10-15年」。而業界的共識是，受到產能和良率的影響，中國大陸在縮減成本和價格競爭力方面大幅落後。

一位半導體產業高層人士說，「美中貿易衝突對我們而言是千載難逢的機會」，「我們必須將過時的半導體產品轉型為先進產品、有效投資先進研發，拉大與中國大陸的差距」。

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