美國商務部13日表示,已與德國汽車零組件供應商博世(Bosch)達成初步協議,將為博世在加州的碳化矽(SiC)功率半導體廠興建計畫,提供多達2.25億美元的補貼。碳化矽晶片對電動車、電信以及國防產業至關重要。
商務部表示,將以這筆補貼,支持博世要在加州羅斯維爾市(Roseville)投資19億美元,把製造設施轉型為生產碳化矽功率半導體廠的計畫,商務部也提議提供約3.5億美元的政府貸款。
博世預期,這座半導體廠2026年起將以200毫米(8吋)晶圓生產晶片。商務部表示,碳化矽晶片的耗能較少,對提高電動車駕駛與充電效率至關重要。
商務部表示,博世這座半導體廠產能全開時,佔全美碳化矽晶片製造產能的比率將超過40%。
博世北美總裁湯瑪斯(Paul Thomas)發表聲明說:「這筆羅斯維爾投資案,讓博世能夠在地生產碳化矽晶片,在電氣化之路上,支持美國消費者。」
曾參與起草2022年《晶片與科學法》的加州民主黨籍聯邦眾議員松井佳壽惠(Doris Matsui)表示,給予博世的補助,將允許該公司生產「推動乾淨運輸、電動車及其他乾淨能源科技進步的必要零組件。」
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標題:Bosch與美國達成初步協議 獲得2.25億美元晶片補貼
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