印度與越南持續積極推動半導體製造產業;印度與美國已協議將合建半導體廠,越南政府也宣布半導體發展計畫。
印度總理莫迪上周末訪問美國,出席四方安全對話(QUAD)年度峰會。白宮發布的會議紀錄指出,美國總統拜登與莫迪21日會面之後,同意將合建晶圓廠,用以製造紅外線、氮化鎵及碳化矽半導體。新廠是在印度半導體使命(ISM)專案,以及「Bharat半導體、3rdi科技公司與美國太空軍之間的戰略性科技夥伴關係」的支持下成立。
美印兩國也宣布將致力於多項資金計畫,透過國際復興開發銀行集資約10億美元,以「催化印度的國內清潔能源供應鏈設施」。
莫迪22日並會晤Google執行長皮伽,輝達執行長黃仁勳及禮來製藥執行長裏克斯。莫迪表示,印度已經有能力發展半導體科技;這次與美國科技業執行長討論科技、創新及更多議題,收穫豐碩。
越南政府周末表示,計劃在2030年之前,至少能擁有一座半導體製造廠,及十座封裝廠,並將啟動一項基金,協助外國投資者緩解全球最低企業稅率所帶來的衝擊。
越南政府22日發表「半導體產業開發策略」聲明指出,越南半導體產業的目標是在2030年能締造250億美元營收,並且在2030年之前能夠擁有5萬名半導體工程人員。
政府計劃到2050年至少擁有三座半導體廠,及20座封裝廠,年營收目標千億美元。
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標題:印度、越南 衝刺半導體業
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