美國擬限制GAA技術出口大陸 三星晶圓代工首當其衝

美國擬限制對中國大陸出口 GAA ( 環繞式閘極 ) 技術，限制中國大陸獲取應用於人工智慧晶片的 GAA 技術，由於目前三星晶圓代工已先導入 GAA 架構，法人預期，三星晶圓代工首當其衝，至於後續英特爾、台積電（2330）等計劃量產採用 GAA 架構設計量產的廠商影響尚待觀察。

由於GAA 技術與目前廣泛使用的 FinFET 技術不同，被業界視為提供更細微的調整選項，以優化效能、功耗及密度，預期將是2奈米以後主流架構。

外電報導，美國政府考慮限制中國大陸獲取應用於人工智慧晶片上的 GAA 技術。新措施將不會直接禁止 GAA 晶片的出口，而是針對製造這些晶片的技術。

外電也報導，美國政府內部也在討論對 HBM 技術的出口限制，但尚未決定是否會與 GAA 技術的限制一同實施。不過目前相關限制措施的最終決定時間尚不明確。

晶圓代工廠當中三星電子晶圓代工是率先在3奈米就導入 GAA 架構，先前韓國經濟日報報導，超微執行長蘇茲豐日前參加比利時微電子研究中心（imec）的2024年全球技術論壇（ITF World 2024）時，發表以3奈米環繞式閘極（GAA）技術量產下一代晶片的計畫，並表示會以3奈米 GAA 電晶體作為改善效率與效能、強化封裝與互聯的觸媒，由於目前三星電子是唯一推動商業化 GAA 架構3奈米製程的晶片製造商，去年率先全球以 GAA 架構的3奈米製程生產先進晶片。超微相關訊息讓外界認為將和三星製造深化合作。

GAA 架構業界普遍認為2奈米才會成為主流，於日前舉行的2024年 IEEE 國際固態電路會議（ISSCC）上，比利時微電子研究中心（imec）推出一款開放式製程設計套件（PDK），該套件配備一套由 EUROPRACTICE 平台提供的共訓練程式。利用這款套件，將能透過 imec 開發的2奈米環繞閘極（GAA）技術來進行虛擬數位設計，包含晶背供電網路。

Counterpoint Research 日前報告提到，對於未來發展，環繞式閘極結構（GAA）技術的發展，為晶圓廠設備市場帶來新的增長機會。同時，AI、汽車和物聯網（IoT）領域的投資增加，將進一步推動晶圓廠設備的需求，促進整個半導體行業的創新和發展。

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